download0 view96
twitter facebook

공공누리This item is licensed Korea Open Government License

Title
질화물 반도체
Alternative Title
Nitride Semiconductor
Author(s)
조영화
Alternative Author(s)
Jo, Yeong-Hwa
Publisher
한국과학기술정보연구원
Korea Institute of Science and Technology Information
Publication Year
2002-12
Description
funder : 정보통신부
agency : 정보통신부
agency : Ministry of Information and Communication
Abstract
GaN 등의 질화물 반도체는 전자산업을 진일보시킬 수 있는 재료로 기대되고 있다. 이는 질화물 반도체가 가진 고유의 뛰어난 물리, 화학적 특성에 기인한다. 즉, 질화물반도체는 에너지 간격이 넓게 조절될 수 있기 때문에 자외선 영역에서 청/녹색까지의 발광소자(LED) 및 레이저 다이오드(LD)와 자외선 검출기(Detector) 등의 광소자 구현이 가능하다. 또한 구조적 안정성이 매우 우수하여 고온, 고출력 전자소자의 구현도 가능하다.
이러한 기대와 가능성에도 불구하고 질화물반도체가 소자로 개발되기까지는 많은 시간이 걸렸다. 그 이유는 질화물반도체(대표적인것은 GaN임)에 대하여 적합한 기판과 박막 형성방법이 없었기 때문이다. 종래의 기판 및 박막형성방법으로는, GaN의 박막성장에서 기판과의 격자 mismatch로 인하여 strain이 발생하고 결함농도가 높아져 전기적 특성을 조절하기 힘들었다. 또한 큰 에너지 갭으로 도핑효율이 낮고 p형 GaN의 실현이 어려웠다.
Files in This Item:
There are no files associated with this item.
Appears in Collections:
7. KISTI 연구성과 > 연구보고서 > 2002
URI
https://repository.kisti.re.kr/handle/10580/10946
http://www.ndsl.kr/ndsl/search/detail/report/reportSearchResultDetail.do?cn=TRKO201000015637
Fulltext
 http://www.ndsl.kr/ndsl/commons/util/ndslOriginalView.do?dbt=TRKO&cn=TRKO201000015637
Export
RIS (EndNote)
XLS (Excel)
XML

Browse