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This item is licensed Korea Open Government License
- dc.contributor.author
- 조영화
- dc.date.accessioned
- 2018-11-02T04:55:56Z
- dc.date.available
- 2018-11-02T04:55:56Z
- dc.date.issued
- 2002-12
- dc.identifier.other
- I4
- dc.identifier.uri
- https://repository.kisti.re.kr/handle/10580/10946
- dc.identifier.uri
- http://www.ndsl.kr/ndsl/search/detail/report/reportSearchResultDetail.do?cn=TRKO201000015637
- dc.description
- funder : 정보통신부
- dc.description
- agency : 정보통신부
- dc.description
- agency : Ministry of Information and Communication
- dc.description.abstract
-
GaN 등의 질화물 반도체는 전자산업을 진일보시킬 수 있는 재료로 기대되고 있다. 이는 질화물 반도체가 가진 고유의 뛰어난 물리, 화학적 특성에 기인한다. 즉, 질화물반도체는 에너지 간격이 넓게 조절될 수 있기 때문에 자외선 영역에서 청/녹색까지의 발광소자(LED) 및 레이저 다이오드(LD)와 자외선 검출기(Detector) 등의 광소자 구현이 가능하다. 또한 구조적 안정성이 매우 우수하여 고온, 고출력 전자소자의 구현도 가능하다.
이러한 기대와 가능성에도 불구하고 질화물반도체가 소자로 개발되기까지는 많은 시간이 걸렸다. 그 이유는 질화물반도체(대표적인것은 GaN임)에 대하여 적합한 기판과 박막 형성방법이 없었기 때문이다. 종래의 기판 및 박막형성방법으로는, GaN의 박막성장에서 기판과의 격자 mismatch로 인하여 strain이 발생하고 결함농도가 높아져 전기적 특성을 조절하기 힘들었다. 또한 큰 에너지 갭으로 도핑효율이 낮고 p형 GaN의 실현이 어려웠다.
- dc.publisher
- 한국과학기술정보연구원
- dc.publisher
- Korea Institute of Science and Technology Information
- dc.title
- 질화물 반도체
- dc.title.alternative
- Nitride Semiconductor
- dc.contributor.alternativeName
- Jo, Yeong-Hwa
- dc.identifier.localId
- TRKO201000015637
- dc.identifier.url
- http://www.ndsl.kr/ndsl/commons/util/ndslOriginalView.do?dbt=TRKO&cn=TRKO201000015637
- dc.type.local
- 최종보고서
- dc.identifier.koi
- KISTI2.1015/RPT.TRKO201000015637
- Appears in Collections:
- 7. KISTI 연구성과 > 연구보고서 > 2002
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